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提取灰尘足迹的静电膜及其制作方法

放大字体  缩小字体发布日期:2018-12-21  浏览次数:38
核心提示:本发明公开了一种提取灰尘足迹的静电膜及 其制作方法

申请号 201610100126. 5

申请日 2016.02.23

申请人 北京布兰特警用装备有限责任118图库彩图

地址 100070北京市丰台区南三环西路91号院1号楼10层2单元1106 (宝隆大 厦)

发明人 黄大明

专利代理机构 北京捷诚信通专利事务所 (普通合伙)11221

代理人 王卫东

发明名称 提取灰尘足迹的静电膜及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提取灰尘足迹的静电膜及 其制作方法,制作方法为:选择绝缘材料并裁切 成长条状,形成绝缘层;在所述绝缘层的一侧表 面上进行涂镀形成导电层,制成静电膜,且所述导 电层的宽度小于所述绝缘层,所述绝缘层的左、右 边缘分别超出所述导电层的相应边缘形成第一防 漏电区;所述静电膜分段裁切后形成裁切边缘, 将裁切边缘进行绝缘处理形成第二防漏电区。本 发明,在静电膜的边缘设有第一防漏电区和第二 防漏电区,使聚集在导电层的电荷无法从边缘流 出,解决了漏电现象,最大限度地增加导电层的电 荷密度,提高对灰尘的吸附力,从而获取尽量清晰 的足迹。
   提取灰尘足迹的静电膜及其制作方法.pdf
 

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